12月9日音讯，针对外界的风闻，长江存储揭露回应称，他们没上市的计划。
长江存储发布声明称，近期多家媒体伪造、分布和传达长江存储“借壳上市”的不实风闻。为澄清事实，我司宣布相关声明如下：
三、请相关单位自重并立马中止全部失实报导。我司将保存追查相关单位法律责任的权力。
作为国产存储之光，之前有音讯称长江存储在面对美国出口约束和被列入实体清单的两层压力下，已成功选用国产半导体设备代替部分美系设备。
长江存储自研Xtacking架构可让3D NAND的层数堆叠到232层，即便与美光、三星和SK海力士等闻名制造商比较，也具有极强的竞赛优势。
据悉，长江存储现已运用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的堆积与蚀刻设备，以及拓荆科技的堆积设备，成功制造出3D NAND闪存芯片。
